Otsoninkehitin tuottaa otsonia kuivatusta ilmasta/hapesta suurjännitteen avulla. Otsonia syntyy johtamalla tämä suurjännite ilma/kaasuvirtaan ja johtamalla se pois erityislasista valmistetun putken läpi ja edelleen maahan. Otsonin tuottaminen synnyttää runsaasti lämpöä, joka on johdettava pois laitteistosta. Lämmön pois johtamiseen käytetään jäähdytysvettä, joka tavanomaisissa otsoninkehittimissä on heti lasin takana. Lämmön siirto suoraan veteen synnyttää lasissa lämpöjännityksiä, jotka ajan mittaan rikkovat lasin. Tämä aiheuttaa huolto- ja korjaustarvetta. Joissakin otsoninkehittimissä yhden lasiputken rikkoutuminen johtaa siihen, että toisetkin otsoninkehitysputkistot täyttyvät vedellä.

RAB otsoninkehitysputkisto on rakennettu toisella tavalla. Periaatepiirroksesta N:o 1652 nähdään, ettei jäähdytysvesi ole lainkaan suorassa kosketuksessa otsoninkehityksessä välttämättömään lasiputken kanssa. Otsonoitava ilma/happi tulee otsoninkehitysputkistossa ylhäältä painuen haponkestävän suurjännite-elektrodin sisäpintaa alas, sieltä ylös lasiputken sisäpuolella laskeutuakseen jälleen lasiputken ulkopuolella sen ja haponkestävän teräksestä valmistetun maadoituselektrodin välisen raon kautta alas ja edelleen käyttöön. Jäähdytysvesi virtaa maadoituselektrodin ulkopuolella. Jäähdytysnesteenä voidaan käyttää paitsi vettä, myös muita mahdollisia nesteitä aina 10 bar paineeseen asti.

- Koska jäähdytysvesi/neste ei ole suorassa kosketuksessa lasiputken kanssa, ei siinä synny jäähdytysvedestä aiheutuvia lämpöjännityksiä, ja lasiputken rikkoutumisvaara tästä syystä jää vähäiseksi.

- Koska jäähdytysvesi/neste voi olla jopa 10 bar paineista, voidaan lämmennyttä jäähdytysvettä käyttää paineenalaisena.

- Otsonin kehitinputkia voi olla useampia yhdessä yksikössä. Näiden yksiköiden kuori on niin ikään haponkestävää terästä.

- RAB/K otsoninkehitysputkisto sopii ilman alipaine- ja ylipainekäyttöön Järjestelmä voi valmistaa otsonia myös hapesta.