Otsonin kehittämisessä on ongelmana kehittyvän lämmön johtaminen pois prosessista. Otsonin muodostamiseen tarvitaan suurjännite, joka johdetaan haponkestävään elektrodiin ja sieltä erityislasin (ns. dielektrikum) läpi jäähdytysveteen. Tavanomaisissa otsoninkehittimissä jäähdytysvesi virtaa heti tämän lasin takana. Lasiin syntyy lämpöjännitteitä, jotka haurastuttavat vähitellen lasia.

RAB/K otsoninkehittimissä jäähdytysvesi ei ole suorassa kosketuksessa lasin kanssa, vaan virtaa lasin suojana olevan haponkestävän teräsputken takana. Otsoninkehitysputki koostuu kapeasta haponkestävästä elektrodista, sitä ympäröivästä lasiputkesta ja tämän ulkopuolella olevasta haponkestävästä suojaputkesta. Näitä putkia on yhdessä 70 g O3/h tuottavassa otsoninkehitysputkiyksikössä 42 kpl. Tämä ratkaisu pidentää otsoninkehityksessä tarvittavien lasiputkien ikää huomattavasti Menetelmä säästää myös sähkövirran kulutusta. Otsonin kehittämiseen tarvitaan noin 18 W/g tuotettua otsonia.

- ympäröivästä huoneilmasta

- paineilmasta

- puhtaasta hapesta

RAB/K otsoninkehittimien tuottoalueet on välillä 2 g O3/h – 30 kg O3/h.